[求助]MOSFET電路的分析

2023年11月3日 — MOSFET的Body Diode在反向恢復期間有著相當大的損耗,即當它從正向偏置狀態到反向偏置狀態.在正向偏壓(為電流傳導)狀態下,大量的電子和電洞載子被注入到 ...

2023年3月27日 — MOSFET体二极管（Body Diode）是MOSFET内部PN结的一个结，具有正向导通和反向截止的特性。当MOSFET处于截止状态时，体二极管处于反向偏置状态，不 ...

2017年10月25日 — 体二极管就是左图中红色方框所标识的部分；其作用就是提供续流通路(当MOS管受到如图所示的电压时，电流可以通过寄生二极管导通），不至于击穿MOS管。

2021年9月10日 — 反向电流可以从Source流入P-Base，通过PN结（P-Base/N-Dift）流入Drain。 这个PN结就是MOSFET中的Body diode。其作用是导通电感负载传导来的反向电流 ...

2023年11月2日 — MOSFET 在Drain 和Source 之間有一個body diode(也稱為寄生二極體),作為其結構的組成部分.在圖1中，Source電極側的n+和p+（p基極層）被Source 短路.

2006年11月2日 — 一般我們將那各二極體稱作Body Diode，簡單來看就是一各快速二極體而已，若真要仔細分析，就是當MOSFET關閉時，若有逆向電流，就可以經由這各Body Diode ...

2021年10月24日 — 从上面的分析可以知道，这个二极管是MOS结构和工艺使然的，说它是寄生二极管其实不太合适，体二极管（body-diode）的称呼还是相对准确一些。 那么这个 ...

2018年5月10日 — ・SiC-MOSFET本體二極體的順向特性Vf比Si-MOSFET大。 ・SiC-MOSFET本體二極體的trr更高速，與Si-MOSFET相比可大幅降低恢復損耗。

2017年11月24日 — 當一個功率MOSFET被用在電橋拓撲或用作電源二次側同步整流時，體汲二極體(body-drain diode)的特性及品質因數將變得非常重要。 ... 影響開關在反向恢復過程 ...

4.在MOS的gate端串聯一電阻,並聯zener diode及電阻,以保護gate 此一串聯電阻亦須慎選之,否則會增加MOSFET功耗或寄生振盪. top. MOSFET裡的diode作用 沈昌欣 2005-11-22 17: ...